【博鱼在线官网】环球晶半绝缘碳化硅晶圆/氮化镓元件开发计划获台湾补助

环球晶宣告，公司通过中国台湾经济部技术一处A+企业创意研发淬链计划新世代通讯用之半绝缘碳化矽(S.I.-SiC)晶圆及氮化镓(GaN)元件的技术开发，此补助金计划为期三年，预计继续执行期间至2019年7月31日。环球晶回应，利用经济部技术一处A+企业创意研发淬链计划的帮助，融合中国台湾地区产、官、学、研互相的合作，将可创建台湾在全球高频通讯上游原物料的供应链，未来将更进一步结盟市场涉及产业。　　环球晶认为，氮化镓融合半绝缘碳化矽是良好的化合物半导体技术，由于长能隙及良好的热导特性，在高频功率元件的应用于极高功率仍保留平稳的特性；半绝缘碳化硅晶圆融合氮化镓高功率低电子迁移率功率电晶体的产品与技术已趋向民生应用于，未来均可因应前瞻工业的市场需求益更为深层应用于。　　环球晶系以长能隙材料氮化镓(GaN)茁壮在半绝缘之碳化矽(SiC)基板为主轴，目标为顺利研发应用于射频(RF)用氮化镓功率电晶体，产品市场的应用于为4.5G/5G基地台(L/S/C-band)等。

环球晶回应，公司已投放涉及前瞻研发多达5年，且已不具备A级技术水平；预期经由本计划之继续执行，融合台湾涉及通讯产业，将可增进高频高功率通讯产业链的原始发展，并提高台湾产业竞争力。　　公司也预期，此计划已完成后，环球晶将可在全球碳化硅晶圆供应链上占据一席之地，首创台湾半绝缘性碳化矽基板市场的自主性，并提高台湾的国际竞争力。

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